武漢周邊儀器/儀表

武漢周邊儀器/儀表信息

共找到 61 條信息
  • wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀

    wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀

    SPA-6100wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材
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    2025-04-08
  • igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

    igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

    普賽斯igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476 測(cè)試項(xiàng)目 集
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    2025-04-08
  • 晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

    晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

    武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作S系列源表 應(yīng)用 分立器件特性測(cè)試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、
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    2025-04-08
  • 晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀

    晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀

    晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六； 產(chǎn)品特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可
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    2025-04-08
  • 大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀

    大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀

    普賽斯分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)
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    2025-04-08
  • 高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表

    高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DPX00B雙通道高精度臺(tái)式脈沖源表是在單通道脈沖臺(tái)式源表基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，單通道最大輸出電壓達(dá)300V，最大脈沖輸出電流達(dá)30A，支持四象限工作，2個(gè)通道可獨(dú)立或組合工作。 DPX00B雙
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    2025-04-08
  • led漏電流測(cè)試高精度源表

    led漏電流測(cè)試高精度源表

    LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測(cè)試電流，或者加電流測(cè)試電壓
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    2025-02-27
  • 雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮。A(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量
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    2025-02-27
  • PL202型脈沖式直流電源

    PL202型脈沖式直流電源

    PL202型脈沖式直流電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 超窄至1us的脈沖； 大到30A的脈沖電流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 豐富的軟件接口； PL202型脈沖式直流電源應(yīng)用 醫(yī)療、美容激光器，典型波長(zhǎng)為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源，典型波長(zhǎng)為53
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    2025-02-27
  • 硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)是專(zhuān)為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開(kāi)發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定
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    2025-02-27
  • 精密電流源直流源表

    精密電流源直流源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%
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    2025-02-27
  • igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀

    igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀

    普賽斯igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表

    半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表

    半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，對(duì)標(biāo)美國(guó)2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率；支持四象限工作，測(cè)量范圍廣，電壓高至300V，電流低至10pA；支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告；5寸觸摸顯示屏
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    2025-02-27
  • 數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    系統(tǒng)方案 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信
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    2025-02-27
  • SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體高
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀

    半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀

    實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體?？勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其
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    2025-02-27
  • 電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀

    電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀

    電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反（或輔助）電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測(cè)量，然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS，使E為希望的電位值，這時(shí)使用萬(wàn)用表測(cè)量流入WE的電流I。之后
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    2025-02-27
  • 功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A

    功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A

    普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專(zhuān)用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    SPA-6100半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀+功率器件測(cè)試設(shè)備

    半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀+功率器件測(cè)試設(shè)備

    普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和
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    2025-02-27
  • 30A+1us脈沖源

    30A+1us脈沖源

    30A+1us脈沖源的簡(jiǎn)述: 作用: 主要應(yīng)用于VCSEL激光器、大功率LED的測(cè)試 功能： 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn)： （1）超窄脈沖大電流電流加電，能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測(cè)試需要； （2）支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測(cè)試的系統(tǒng)解決方案； （3
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    2025-02-27
  • 二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表

    二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表

    普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，只允許電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等
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    2025-02-27
  • PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)

    PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)

    普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)是專(zhuān)為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開(kāi)發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、
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    2025-02-27
  • 16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn) 單抽屜最多支持16路8抽屜； 各通道互相獨(dú)立； 電流回讀，同步自動(dòng)測(cè)量電壓、光功率等數(shù)據(jù)； 加熱膜加熱，溫控范圍：室溫～125℃； 電源抗浪涌設(shè)計(jì)； 收光裝置水冷； 絕對(duì)精度±1℃，不同DUT溫度均勻性±2℃； 老化數(shù)據(jù)自動(dòng)記
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    2025-02-27
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