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全武漢行業(yè)市場信息
共找到 1271 條信息-
led漏電流測試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅動下才能正常工作。其電壓-電流之間的關系稱為I-V特性。通過對LED電特性的測試,可以獲得對應正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流(Ir)等參數(shù),以及相應的I-V曲線。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測試電流,或者加電流測試電壓面議2025-02-27 -
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量面議2025-02-27 -
GaN HEMT器件特性測試儀
GaN HEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。GaN HEMT器件特性測試儀就找普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六; 基于普賽斯S/CS系列源表的直流l-V特性測試系統(tǒng) 基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓面議2025-02-27 -
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
為應對各行各業(yè)對IGBT的測試需求,武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試,具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁面議2025-02-27 -
KV級高壓電源3500V高壓程控電源
E系列KV級高壓電源3500V高壓程控電源特點和優(yōu)勢: 十ms級的上升沿和下降沿; 單臺最大3500V的輸出; 0.1%測試精度; 同步電流或電壓測量; 支持程控恒壓測流,恒流測壓,便于掃描測試; 應用領域: 用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充面議2025-02-27 -
PL202型脈沖式直流電源
PL202型脈沖式直流電源特點和優(yōu)勢: 超窄至1us的脈沖; 大到30A的脈沖電流; 最大300A/us上升速度; 兼容CW和QCW模式; 豐富的軟件接口; PL202型脈沖式直流電源應用 醫(yī)療、美容激光器,典型波長為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源,典型波長為53面議2025-02-27 -
半導體器件IV+CV測試儀
半導體器件IV+CV測試儀認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?,詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢:面議2025-02-27 -
led&二極管反向漏電流測試設備
led&二極管反向漏電流測試設備測試項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降面議2025-02-27 -
二極管&led反向擊穿電壓測試設備
二極管&led反向擊穿電壓測試設備具有輸出及測量電壓高(3500V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3500V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六; 二極管&面議2025-02-27 -
硅基and碳化硅特性曲線測試設備
硅基and碳化硅特性曲線測試設備優(yōu)勢 高電壓、大電流 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV) 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測量 nA級漏電流, μΩ級導通電阻 0.1%精度測量 模塊化配置面議2025-02-27 -
大電流脈沖源表100A直流源表
HCP系列大電流脈沖源表100A直流源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測量精度均可達0.1%,可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六; 應用面議2025-02-27 -
uApA級國產電流源
uApA級國產電流源認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、面議2025-02-27 -
國產S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢
國產S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量,更準確的面議2025-02-27 -
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認準生產廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯S系列、P系列源表標準的SCPI指令集,Y秀的性價比,良好的售后服務與技術支持,普賽斯儀表是手家國產數(shù)字源表生產廠家,產品已經歷3年迭代完善,對標2400、2450、2611、2601B、2面議2025-02-27 -
寬禁帶器件測試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評估,一般包含靜態(tài)參數(shù)測試(I-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。靜態(tài)參數(shù),也被稱作直流參數(shù),是用來評估半導體器件性能的基礎測試,也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs(th)為例,其值的大小對研發(fā)人員設計器面議2025-02-27 -
半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)
普賽斯半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2025-02-27 -
光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表
光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關注暗電流、反向擊穿電壓、結電面議2025-02-27 -
光電二極管性能測試精密源表
光電探測器光電測試 光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關面議2025-02-27 -
半導體器件測試儀IV曲線儀
半導體器件測試儀IV曲線儀認準普賽斯儀表,詳詢18140663476;普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案? S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、多功能面議2025-02-27 -
精密電流源直流源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%面議2025-02-27 -
功率半導體測試平臺功率器件測試設備
普賽斯功率半導體測試平臺功率器件測試設備特點和優(yōu)勢: 單臺Z大3500V輸出; 單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A; 15us的超快電流上升沿; 同步測量; 國標全指標的自動化測試; 可定制夾具; nA級電流和uΩ級電阻測量; 測試項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電面議2025-02-27 -
半導體芯片測試設備IV曲線掃描儀器
眾所周知,半導體芯片測試設備IV曲線掃描儀器應用的專業(yè)領域十分廣泛,分別有:微電子、集成電路、物理與電子工程、航空航天、材料科學與工程、材料與能源、電子科學與工程、光電信息與能源工程等等等... 數(shù)字源表作為電學測量的常用儀器,在高校和研究所的相關實驗室內幾面議2025-02-27 -
電參數(shù)測量多合一數(shù)字源表
分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件(DUT)施加電壓或電流,然后測試其對激勵做出的響應,通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,又占用過多測面議2025-02-27 -
igbt模塊測試設備功率器件測試儀
普賽斯igbt模塊測試設備功率器件測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如面議2025-02-27 -
pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產品豐富,pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表認準普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六; 源表特點: 多面議2025-02-27 -
半導體分立器件測試設備參數(shù)分析源表
半導體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導體元器件,用于電力電子設備的整流、穩(wěn)壓、開關、混頻等電路中,是構成電力電子變化裝置的核心器件之一,在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動化控制、計算機及周邊設備、網(wǎng)絡通訊等眾多國民經濟領域均有廣面議2025-02-27 -
電流階躍測試電源高電流脈沖源
電流階躍測試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設備可廣泛應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設面議2025-02-27 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測量精度均可達0.1%,可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六; 應用 ?納米材面議2025-02-27 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、多功能面議2025-02-27 -
功率模塊igbt測試設備igbt測試儀
普賽斯功率模塊igbt測試設備igbt測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如面議2025-02-27 -
壓力傳感器測試儀
通常,壓力傳感器Ⅳ特性測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。而且,使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的面議2025-02-27 -
半導體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表
半導體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國產自主研發(fā),對標美國2400,B2901;可實現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測量同步進行,提高測試效率;支持四象限工作,測量范圍廣,電壓高至300V,電流低至10pA;支持USB存儲,一鍵導出數(shù)據(jù)報告;5寸觸摸顯示屏面議2025-02-27 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺
系統(tǒng)方案 普賽斯半導體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置,通過矩陣開關加載在待測件上。 進行 C-V 測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信面議2025-02-27 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學實驗平臺
在半導體材料和器件的研究中,電性能測試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導體技術的提升,微電子工藝逐漸復雜,如何對微電子材料器件進行高效率測試成為業(yè)內關注的重點。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號國產化數(shù)字源表SMU,為進一步打通測試融合壁壘,打造閉環(huán)解決方案,通過對半導體高面議2025-02-27 -
半導體性能檢測設備iv曲線測試儀
實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、率先國產化的源表系列產品,集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體??勺鳛楠毩⒌暮銐涸椿蚝懔髟?、伏特計、安培計和歐姆表,還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其面議2025-02-27 -
電化學實驗循環(huán)伏安測試儀
電化學電池的三個電極是工作電極 (WE)、基準電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測量,然后調節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS,使E為希望的電位值,這時使用萬用表測量流入WE的電流I。之后面議2025-02-27
排行8武漢行業(yè)市場 頻道為您提供2025最新武漢行業(yè)市場信息,在此有大量武漢行業(yè)市場報價/圖片/價格信息供您選擇,您可以免費查看和發(fā)布行業(yè)市場服務信息。
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